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创维半导体设计大厦为深圳特区成立30周年产业项目之一,于2010年8月24日奠基,建设周期3年。大厦位于深圳市高新技术园南区核心区域,占地面积17025.5平方米,总建设面积124533.62平方米,计容建筑面积为84931.04平方米,建筑楼高99.8米,长171米;其中东、西座地上24层,地下3层;裙楼连接东、西两座塔楼,地上5层,地下3层;办公标准楼层柱距为8.4米。
写字楼大堂高10米,2-5楼标准层高4.5米,6-24楼标准层高4米,荷载250KG,标准楼层约1628平方米,使用率70%-80%;商业1楼层高5.7米,2-5楼层高4.5米,荷载350KG。
创维半导体设计大厦大厦外墙采用金属铝板、玻璃幕墙(采用中空玻璃、隔音、隔热性能至佳)。停车位726个。